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플래시 메모리 - 4. 플래시 메모리의 동작 방식 및 관리 기법 (4.4 오류 정정 코드 (Error Correction Code, ECC))
4.4 오류 정정 코드 (Error Correction Code, ECC)오류 정정 코드(ECC, Error Correction Code)는 플래시 메모리에서 발생할 수 있는 데이터 오류를 감지하고 복구하는 기술이다.플래시 메모리는 전자의 이동을 이용해 데이터를 저장하는 특성상, 반복적인 읽기·쓰기(Program/Erase) 과정에서 데이터 오류가 발생할 가능성이 있음.이러한 오류를 감지하고 수정하지 않으면, 저장된 데이터가 손상되거나 정상적으로 읽을 수 없게 될 수 있다.따라서 SSD, USB, SD 카드 등 모든 플래시 메모리 기반 저장장치는 ECC를 사용하여 데이터를 보호한다.4.4.1 플래시 메모리에서 데이터 보존을 위한 ECC 역할플래시 메모리는 HDD(하드디스크)와 달리 물리적인 회전 디스크 ..
2025.02.23 -
C언어 초급 - 2장: C 프로그램의 구조 (2.1 C 프로그램의 기본 구조)
2.1 C 프로그램의 기본 구조C 프로그램은 특정한 구조를 가지고 있으며, 모든 C 프로그램은 필수적으로 헤더 파일 포함, main() 함수 정의, 반환문(return)을 포함해야 합니다.이를 이해하기 위해 가장 기본적인 C 프로그램인 "Hello, World!" 예제를 살펴보겠습니다.#include int main() { printf("Hello, World!\n"); return 0;}위 프로그램은 "Hello, World!"라는 문장을 화면에 출력하는 간단한 C 프로그램입니다.이제 프로그램의 각 구성 요소를 자세히 살펴보겠습니다.1. #include 의 의미1.1 #include 지시문C 프로그램에서는 특정 기능을 사용하기 위해 헤더 파일(Header File)을 포함해야 합니다.#inc..
2025.02.23 -
플래시 메모리 - 4. 플래시 메모리의 동작 방식 및 관리 기법 (4.3 가비지 컬렉션 (Garbage Collection))
4.3 가비지 컬렉션 (Garbage Collection)가비지 컬렉션(Garbage Collection, GC)은 플래시 메모리에서 불필요한 데이터를 정리하고, 새로운 데이터를 저장할 공간을 확보하는 기술이다.플래시 메모리는 HDD와 달리 덮어쓰기가 불가능하므로, 기존 데이터를 지우고 새로운 데이터를 저장하기 위해 삭제(Erase) 작업이 필요하다.가비지 컬렉션은 이러한 삭제 과정을 자동으로 최적화하여 성능 저하를 방지하고, 저장장치의 수명을 연장하는 역할을 한다.4.3.1 데이터 정리 및 효율적 사용① 플래시 메모리의 쓰기/삭제 문제점플래시 메모리는 페이지(Page) 단위로 데이터를 기록하지만, 삭제(Erase)는 블록(Block) 단위로 수행됨.기존 데이터를 덮어쓸 수 없으므로, 수정된 데이터는 새..
2025.02.23 -
플래시 메모리 - 4. 플래시 메모리의 동작 방식 및 관리 기법 (4.2 웨어 레벨링 (Wear Leveling))
4.2 웨어 레벨링 (Wear Leveling)웨어 레벨링(Wear Leveling)은 플래시 메모리의 수명을 연장하기 위해, 모든 셀이 균등하게 사용되도록 데이터를 배치하는 기술이다.플래시 메모리는 반복적인 쓰기 및 삭제(Program/Erase, P/E 사이클)로 인해 셀의 절연층이 점점 손상되며 일정 횟수 이상 사용되면 더 이상 데이터를 저장할 수 없게 된다.이를 방지하기 위해, 특정 블록이 집중적으로 사용되지 않도록 데이터를 고르게 분산하여 쓰는 것이 중요하다.4.2.1 셀의 균등한 사용을 위한 기법플래시 메모리는 쓰기(Program)와 삭제(Erase) 작업이 반복될수록 셀이 손상되며, 특정 블록이 집중적으로 사용될 경우 해당 블록이 먼저 고장나는 문제가 발생한다.이로 인해 SSD, USB, S..
2025.02.23 -
플래시 메모리 - 4. 플래시 메모리의 동작 방식 및 관리 기법 (4.1 쓰기와 지우기의 한계)
4.1 쓰기와 지우기의 한계플래시 메모리는 쓰기(Program)와 삭제(Erase)의 동작 방식이 기존의 자기 저장장치(HDD)와 다르며, 특정한 한계를 가진다.특히 랜덤 액세스(Random Access)와 블록 단위 삭제(Block Erase)의 제약은 플래시 메모리를 효율적으로 관리하기 위한 기술(웨어 레벨링, 가비지 컬렉션 등)의 필요성을 만든다.4.1.1 랜덤 액세스(Random Access) 한계① 플래시 메모리의 랜덤 액세스란?랜덤 액세스(Random Access)란 임의의 위치에서 데이터를 즉시 읽거나 쓰는 기능을 의미함.DRAM과 같은 휘발성 메모리는 개별 바이트(Byte) 단위의 자유로운 접근이 가능하지만,플래시 메모리는 페이지(Page) 단위로만 쓰기 가능하므로 랜덤 액세스에 제약이 있..
2025.02.23 -
C언어 초급 - 1장: C 언어 소개 및 개발 환경 설정 (1.2 개발 환경 설정)
1.2 개발 환경 설정1. C 컴파일러란?C 언어는 컴파일러 언어(Compiled Language)로, 작성된 코드를 실행하기 위해서는 컴파일(Compile) 과정을 거쳐야 합니다.컴파일러는 C 소스 코드(.c 파일)를 기계어(0과 1)로 변환하여 실행 파일을 생성하는 프로그램입니다.1.1 C 프로그램 실행 과정소스 코드 작성: 사람이 이해할 수 있는 C 언어 문법으로 코드를 작성합니다. (.c 파일)컴파일(Compile): C 컴파일러가 소스 코드를 기계어로 변환하여 오브젝트 파일(.obj 또는 .o)을 생성합니다.링킹(Linking): 여러 오브젝트 파일과 라이브러리를 연결하여 실행 가능한 파일(.exe 또는 a.out)을 생성합니다.실행(Execution): 컴파일된 프로그램을 실행하여 결과를 확인..
2025.02.23